Компания Microsemi представила новые транзисторы 2731GN-220LV (220Вт) и 2731GN-300LV (300Вт), разработанные для применения в схемах импульсных радаров S-диапазона на частотах 2.7-3.1ГГц.
Новые транзисторы 2731GN-220LV и 2731GN-300LV с высокой подвижностью электронов производятся по технологии «нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC HEMT) и выполнены по схеме включения с общим истоком. Использование подложки из карбида кремния вместо традиционного Si значительно улучшает характеристики теплоотвода, благодаря чему увеличивается допустимая мощность компонента.
Представленные транзисторы созданы инженерами Microsemi для работы в усилителях класса AB и обеспечивают усиление более 15.3дБ, уровень импульсной радиочастотной выходной мощности 220/300Вт соответственно для сигнала с шириной импульса 200мкс и 20% коэффициентом заполнения во всей полосе частот в диапазоне от 2.7ГГц до 3.1ГГц. Выпускаются в герметичных корпусах форм-фактора 55-QP с применением металлизации золотом и предназначены для пайки эвтектическими сплавами. Основное назначение - применение в схемах импульсных радаров S-диапазона.
Технические характеристики транзисторов 2731GN-220LV / 2731GN-300LV:
• Выходная мощность: 220Вт / 300Вт
• Максимальная мощность рассеяния при температуре +25°C: 485Вт / 660Вт
• Максимальное напряжение исток-сток: 125 В
• Максимальное напряжение затвор-исток: -8...+0 В
• Диапазон температур хранения: от -55°С до +125°C
• Рабочая температура перехода: до +250°C.