Компания APEX Microtechnology представила новый импульсный усилитель SA110, который является первым модулем половины H-моста, созданный с использованием карбидокремниевых полевых транзисторов с интегрированным драйвером затвора.

Модуль SA110 является первым высокотоковым высоковольтным модулем половины H-моста, предлагаемым компанией  APEX Microtechnology, сочетающим карбидокремниевые полевые транзисторы и драйвер затвора в одном корпусе. Данный гибридный импульсный усилитель содержит схему цифрового драйвера затвора, обладает очень высокой максимальной частотой коммутации равной 400 кГц и уровнем непрерывного выходного тока 28 А.

Используемые карбидокремниевые полевые транзисторы обладают незначительными коммутационными потерями, низкими потерями проводимости, показывают более слабую температурную зависимость сопротивления открытого канала по сравнению с кремниевыми транзисторами и биполярными транзисторами с изолированным затвором. Сочетание данных транзисторов с интегрированым драйвером и контролирующей логикой сократит время цикла разработки и сэкономит ценную площадь печатной платы для наших потребителей.

Усилитель SA110 может работать от напряжения питания до 400 В и показывает типичную частоту коммутации 250 кГц с максимальной частотой коммутации 400 кГц. ИС производится в 12-выводном корпусе форм-фактора PSIP и имеет схему защиты от пониженного напряжения питания и схему активного подавления эффекта Миллера.

Основные характеристики усилителя SA110:

  • Рабочее напряжение питания (амплитудное значение): 400 В
  • Непрерывный выходной ток: 28 А
  • Пиковый выходной ток: 40 А
  • Частота коммутации: 250 кГц (типовое значение), 400 кГц максимум;
  • Сопротивление открытого канала (у каждого полевого транзистора): 30 мОм (типовое значение);
  • Внутренняя мощность рассеивания: 75 Вт на плечо (максимум);
  • Тип корпуса: 12-выводный PSIP, вид DP, теплоотвод на тыльной стороне корпуса.

Области применения:

  • Гидролокаторы;
  • Бесщеточные электродвигатели постоянного тока;
  • DC/AC инверторы для авиационной радиоэлектроники и высоконадёжных разработок.