23A008
PDF, 42 KB

Технические характеристики

Характеристика Значение
Gain min, дБ 9
Vcc, В 20
Rtjc, (°C/Вт) 35
Бренд Microsemi
Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц до 2,0 ГГц)
F, МГц 2300
Cob, пФ 3
КСВН 10:1
Корпус 55BT-2