Новости

11.07
...

GaN-on-SiC HEMT транзисторы 2731GN-120V компании Microsemi для импульсных радаров S-диапазона

Компания Microsemi представила транзисторы 2731GN-120V, разработанные для применения в схемах импульсных радаров S-диапазона на частотах 2.7-3.1 ГГц.

GaN-on-SiC HEMT транзисторы 2731GN-120V компании Microsemi для импульсных радаров S-диапазонаТранзисторы 2731GN-120V обладают высокой подвижностью электронов, производятся по технологии «нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC HEMT) и выполнены по схеме включения с общим истоком. Использование подложки из карбида кремния вместо традиционного кремния значительно улучшает характеристики теплоотвода, благодаря чему увеличивается допустимая мощность компонента.

Предназначены для работы в усилителях класса AB и обеспечивают усиление более 15.7 дБ, уровень импульсной радиочастотной выходной мощности 120 Вт для сигнала с шириной импульса 200 мкс и 10% коэффициентом заполнения во всей полосе частот в диапазоне от 2.7 до 3.1 ГГц. Выпускаются в герметичных корпусах форм-фактора 55-QP с применением  металлизации и предназначены для пайки эвтектическими сплавами. Основное назначение - применение в схемах импульсных радаров S-диапазона.

Технические характеристики транзисторов 2731-120V:
     • Выходная мощность: 120 Вт;
     • Максимальная мощность рассеяния при температуре +25°C: 240 Вт;
     • Максимальное напряжение исток-сток: 125 В;
     • Максимальное напряжение затвор-исток: -8...+0 В;
     • Диапазон температур хранения: от -55°С до +125°C;
     • Рабочая температура перехода: до +250°C.